Ноябрь 14th, 2021 
raven000 В управлении сетевых источников оказалась новая информация о твердотельных накопителях «Самсунг» 850 EVO SSD, нацеленных на потребительский рынок.
Докладывается, что в базу свежих механизмов сохранения данных прилягут микрочипы 3D V-NAND. Эта методика учитывает сборку кристаллов флеш-памяти по высоте: это дает возможность получить трёхмерную конструкцию микрочипа и в несколько раз увеличить число держанной информации на единицу площади. Надёжность сохранения данных сравнивая со стандартными «двухмерными» продуктами растет при этом в 2–10 раз.
Так вот, докладывается, что в семейство «Самсунг» 850 EVO SSD зайдут накопители вместительностью 120, 250, 500 и 750 Гигабайт, и 1 Тбайт. Они будут сделаны в 2,5-дюймовом форм-факторе в каркасе шириной 7 миллиметров. Такое выполнение позволит ставить устройства в десктопы, компьютеры и ультрабуки. Внешний вид включения к ПК — Serial ATA 3.0 с пропускной возможностью до 6 Гбит/с.
Подчеркивается, что накопители «Самсунг» 850 EVO SSD будут несколько неторопливее механизмов рода 850 Pro. Заключительные обеспечивают скорость поочередного чтения и записи информации до 550 и 520 Мбайт/с как следствие.
Анонс «Самсунг» 850 EVO SSD предполагается в начале января 2015 года. Возможно, накопители будут показываться на выставке CES 2015, которая с 6 по 9 февраля пройдёт в Лас-Вегасе (Невада, США).
Опубликовано в рубрике 
