Micron и сингапурские учёные продолжат общую подготовку памяти STT-MRAM

Сингапурский факультет A*STAR Data Сторидж Institute (DSI) официально рассказал, что между ним и североамериканской организацией Micron Technology подписан контракт, продлевающий общие подготовки памяти STT-MRAM. Первый контракт о партнёрской работе над энергонезависимой памятью STT-MRAM сингапурские создатели и Micron подписали 3 месяца назад — в 2011 году. Свежий контракт обхватывает такой же кусок времени и будет действовать до 2017 года.

На 1-м и теперь закончившемся раунде DSI и Micron спроектировали стандартные технологии, нужные для образования памяти STT-MRAM с повышенной насыщенностью записи. На данный момент невысокая насыщенность записи — это один из основных минусов магниторезистивной памяти с случайным доступом. К примеру, один из ведущих поставщиков памяти STT-MRAM — организация Everspin — готова доставлять микросхемы STT-MRAM ёмкостью всего 64 Mbit, которые подходят всего лишь на образование энергонезависимого кеш-буфера, однако ввиду маленькой ёмкости не подойдут для производства SSD.

Организация Micron и создатели из DSI не рассказывают отчетливо о достигнутых итогах, однако на новом раунде планируют сконцентрироваться на усовершенствовании подобных данных STT-MRAM, как понижение употребления в факторы переключения положения ячеи (запись и вычеркивание) и усовершенствование быстродействия. Можно рассчитывать, что с увеличением насыщенности записи они сориентировались.

В заключение напоминаем, что память STT-MRAM действует на принципе перевода спинового этапа электрона (изменение магнитного поля частиц). Является, что из всех многообещающих и довольно отработанных на данный момент альтернатив энергонезависимой памяти — RRAM, FeRAM и PRAM — память вида STT-MRAM будет самой энергоэффективной. Она так эффективна, что организация Toshiba вознамерилась сменить в микропроцессорах кеш-память SRAM на блоки STT-MRAM, для чего не опасается привнести значительные перемены в современную процессорную архитектуру.

Возвращаясь к компании Micron, стоит отметить, на сегодняшний день она обхватила чуть ли не полный комплекс перспективной энергонезависимой памяти. Североамериканский изготовитель готовится в партнёрстве с организацией Сони производить память вида RRAM (впрочем через покупку Elpida обрел фирменные подготовки RRAM данной японской компании), производит 128-Мбит микросхемы PRAM (с развитием фазисного положения вещества) и SoC с интегрированными блоками PRAM, и вероятно имеет доступ к исследованиям FeRAM через приобретённые подконтрольные компании Elpida тайваньские компании Inotera Memories и Nanya Technology (прежние активы Infineon). Несмотря на то что весь потенциал Micron после покупки японской компании Elpida до сегодняшнего дня не открыт, можно быть уверенным — он громаден. Однако это иная история.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий